AOA电竞官网:华润微2023年年度董事会经营评述
发布时间：2024-04-30 08:53:13 来源：AOA官方入口 作者：aoa全站入口
2023年，全球半导体市场规模较去年同期有所下降。但从行业来看，虽然传统电子产品需求萎缩，但结构化机会显现，新能源、大数据、云计算、汽车电子等新兴应用领域仍有所增长，ChatGPT等AI应用带动人工智能领域的需求。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预估，2023年全球半导体市场将下降4.1%，但预计2024年将增长13.1%，规模达约5,880亿美元。SIA预估2023年全球半导体销售将下降9.4%至5,200亿美元，但可望明年反弹，预计2024年将增长11.9%。ICInsights预测经历2023年的周期性下滑后，半导体销售额将出现反弹并在未来三年实现更强劲的增长，到2026年半导体销售额预计攀升至8,436亿美元，年复合增长率为6.5%。尽管由于周期性的特点和宏观经济的影响，半导体市场出现了短期波动，但芯片在使世界更智能、更高效、更互联方面的作用越来越大，半导体市场的长期前景仍然向好。
2023年，国内半导体市场受周期性影响。根据海关统计，2023年，我国集成电路进口总额3,502亿美元，同比下降15.7%；出口金额总额1,364亿美元，同比下降11.4%。据工信部统计，2023年我国集成电路产量3,514亿块，同比增长6.9%。近年来随着AI、大数据、云计算、物联网等新兴应用领域的快速崛起，全球集成电路行业逐渐恢复增长。中国已成为全球最大的集成电路消费市场，以及全球最具活力和发展前景的市场之一。
公司是中国领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、数模混合、智能传感器与智能控制等领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在功率半导体领域已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线，公司主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。公司是中国本土领先的以IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国本土最大的功率半导体企业之一。
报告期内，公司实现营业收入99亿元，较上年同期减少1.59%；实现归属于母公司所有者的净利润14.79亿元，较上年同期减少43.48%；报告期末公司总资产292.15亿元，较期初增长10.42%；归属于上市公司股东的净资产为215.58亿元，较期初增长7.89%。报告期内，公司研发投入11.54亿元，同比增长25.30%，占营业收入的比例达到11.66%。截至2023年末，公司已获得授权的专利共计2,202项，其中发明专利1,838项，占专利总数的83.47%。
在行业景气度下行调整阶段，公司积极布局重大项目，两条12吋线、封测基地等新业务逐步开展；同时加大研发投入力度，不断推出适应市场需要的新技术和新产品，整体业绩跑赢大市。
报告期内，公司产品与方案板块下游终端应用主要围绕四大领域，其中泛新能源领域（车类及新能源）占比39%，消费电子领域占比34%，工业设备占比16%，通信设备占比11%。
公司全面拓展汽车电子市场，产品进入比亚迪002594）、吉利、一汽、长安、五菱等重点车企，多渠道推广汽车芯片国产化，车规级产品储备扎实推进，第三代半导体SiC产品获得知名车企的头标。
公司在光伏逆变器、变频器等新能源领域加大客户拓展力度，市场份额提升，新能源领域的营收在产品与方案板块的占比从2022年16%提升至20%，产品进入阳光电源300274）、德业股份605117）、汇川等重点客户。
MOSFET产品：报告期内，公司充分发挥MOSFET产品国内市场的品牌影响力，通过8吋特色化和12吋技术先进性以及封测资源优势进一步推动技术创新迭代和产品系列化开发，MOSFET产品在工业、汽车电子等领域销售进一步扩展，应用领域的高端化进一步提升，公司全年完成35颗MOSFET产品车规认证并至汽车客户终端批量供应，为公司MOSFET实现进一步高质量发展夯实产品客户基础。高压超结和中低压先进沟槽栅MOS产品销售规模快速增长，新能源车、充电桩、储能、锂电、服务器等行业标杆客户销售份额持续增长，并透过标杆效应进一步扩大了市场占有率。中低压MOS全产品平台拓展AEC-Q101能力，中低压先进沟槽栅G3、G4以及宽SOA产品性能达到业界国际先进水平，并实现稳步上量，12吋中低压MOS产品开发、送样顺利推进并实现批量供货，其中，中低压先进沟槽栅MOSG6平台对标国际一流，12吋晶圆产线正在加速迭代；高压超结MOS在新能源汽车、光伏、储能、UPS、通信设备领域得到客户广泛认可，营收同比增长46%，同时，高压超结MOSG4平台，达到国际头部企业最新量产产品同等水平，12吋深槽工艺预研也在有序推进。
IGBT产品：报告期内，IGBT产品线亿元，产品线销售规模实现显著增长。报告期内，IGBT产品线吋化、封装模块化、应用高端化”，产品线吋高端IGBT预研能力建设有序快速推进。8吋IGBT晶圆贡献规模增长62%，进一步助力加快产品系列丰富，推动产品向工业、光伏、新能源汽车等应用领域升级、拓展，工业（含光伏）领域销售占比提升至70%以上，汽车市场头部客户合作更加深入。与此同时，IGBT模块开发与推广进一步加快，完成电焊机、变频器、光伏、新能源汽车电驱等应用领域几十余款型号的模块产品开发，其中，在变频器领域推出1200V15A~800A共19款模块，光伏领域推出650V/1200V300A以上共4款模块，新能源汽车领域推出750V/1200V450A以上多款主驱模块等，市场验证与客户拓展顺利进行。
第三代宽禁带半导体：报告期内，充分发挥公司在宽禁带产品技术、工艺能力与产能上的储备，以中高端应用推广为主线，加快产品技术迭代，推动预研项目有序推进，实现了技术预研储备和产业化的显著进步。报告期内，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比增长135%。SiCJBSG2平台已完成650V和1200V系列共计40余颗产品开发，覆盖目前主流应用需求，在多家光伏/充电桩等领域头部客户实现规模交付，同时功率密度水平达到国际领先的SiCJBSG3650V平台完成开发，产品得到客户认可并进入系列化。SiCMOS在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域实现多个客户批量出货，销售规模与品牌影响力实现跨越式提升，在碳化硅产品销售中的比例逐步提升至60%以上。其中G1平台全系列量产，G2平台全系列出样试产并通过多家客户测试，进入批量试产阶段，车规级SiCMOS和SiC模块的研发工作进展顺利，多款产品进入市场验证。目前公司SiC产线产能升级已完成，将充分满足中长期客户需求。氮化镓功率器件以D-mode产业化、E-mode预研储备为路径，实现产业化推广和预研技术进步的双重成效。公司充分发挥长期积累的电源客户资源优势，在通讯、工控、照明和快充等领域与近十家行业头部客户开展合作，进入批量供应阶段，2023年实现营收规模增长1.2倍。产品研发方面继续开展氮化镓圆片及封装平台优化及产品系列化工作，不断丰富产品数量，目前已完成25颗产品开发，二代产品部分已通过工业级考核，针对工控和通讯领域的三代产品芯片能量密度明显提升，封装体积明显减小。大功率氮化镓TO-247封装产品可应用于通信、逆变储能、服务器等终端领域，将在2024年规模量产。
特种器件：报告期内，公司充分发挥SBD技术和产能优势，加强与天合、晶澳、晶科等光伏领域龙头客户以及产业链伙伴的全方位合作，全年实现TMBS模块销售大幅增长，同比增幅1.83倍。
功率产品模块：基于公司在MOSFET、IGBT、TMBS等产品技术发展领先态势，并结合市场需求趋势，公司充分发挥晶圆、封测等全产业链优势，功率产品模块化成效显著，在IGBT模块、IPM模块、TMBS模块、MOSFET模块的市场推广上取得显著成效，整体规模增长1.45倍，其中，IGBT模块增长1.1倍，IPM模块增长6.5倍，TMBS模块增长1.83倍。公司功率产品模块化将进一步匹配高端应用、高端客户需求，并为公司进一步规模增长和高质量发展打下坚实基础。
功率IC、智能传感器及智能控制产品：报告期内，公司充分挖掘并运用IDM商业模式优势，加速在汽车电子和新能源领域的市场布局。公司功率IC产品在电机市场份额实现较大提升，营收较同期增长100.5%，IPM产品销售额同比增长139.7%。公司多颗功率IC产品获得车规认证并完成ISO26262功能安全管理体系认证。安全MCU产品电路设计一次成功，顺利完成芯片质量考核并已获得批量订单，是国内首款支持加密算法模式的安全MCU产品。
公司具有对外提供规模化掩模制造、晶圆制造与封装测试的能力。公司通过加快创新步伐，夯实核心能力，持续进行晶圆工艺和封装能力提升，进一步掌握核心技术并建立差异化核心竞争力。同时通过质量体系完善、推行智能制造等方式提升市场竞争力，为客户提供高质量服务。
报告期内，公司0.11微米BCD技术平台完成工艺平台固化，0.15微米数字BCD技术平台马达应用类获得突破，0.18微米HRBCD(DTI)进入小批量生产，高精度TFR在多平台获得客户认可采纳，0.5微米超高压SOIBCD技术平台通过先导客户应用认证。1200V高压驱动IC工艺平台已通过可靠性验证，MEMS技术平台单芯片集成喷墨打印头项目已取得阶段性验证结果。
报告期内，公司智能功率模块封装处于满产状态，公司开发的新型IPM封装产品量产，为公司自有产品持续提供丰富全面的功率智能模块解决方案。在大功率器件封装方面，公司前期开发的新型封装形式LFPAK、TOLL、TO247等面向光伏、储能领域，实现规模量产。
面板级封装产能利用率持续保持高位运行，供需两旺，营收同比增长60%，该工艺凭借更高的集成度、更优秀的电性能和热性能、更好的可靠性等优势，取得较好的市场美誉度，并进入多家知名消费电子、工业电子及汽车终端客户供应链，客户黏度较高。
公司先进功率封测基地量产规模快速提升，营收快速增长，TO、PPAK等功率器件封测、智能功率模块封测、化镀及BGBM中道服务等已经实现稳定大规模量产，IGBT模块、SiC模块已进入批量生产阶段，TOLT、QDPAK等新型功率器件封装已完成布局，并与多家国内外一流终端客户达成合作。
报告期内，掩模业务销售额同比增长30.6%，净利润同比增长20.7%。生产运营方面，掩模新品良率高达98.8%，重点客户产品准时交付率攀至99.98%，核心指标均维持高位。高端掩模项目建设加快推进，2023年5月完成办公楼及动力大楼封顶，6月完成主厂房封顶，12月完成首台设备搬入，标志着高端掩模建设进入新阶段。
公司围绕整体战略，持续关注外延式扩张机会，锁定目标集中在功率半导体和智能传感器产品公司，以及能够快速提升公司产品与客户层次的制造资源，通过对外合作、收购兼并和股权投资等多种发展路径，利用成功的整合经验，最大程度发挥协同效应，借助资本力量，为公司实现跨越式发展带来有力的支持。
（1）报告期内，公司成功引入国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司对润安科技增资10亿元，共同建设功率半导体封测基地。本次增资有助于增强公司功率半导体产品业务发展的配套能力，提升功率半导体封装的规模和技术水平，巩固功率半导体的竞争优势。
（2）报告期内，无锡迪思完成B轮5.2亿元股权融资，合计外部融资11.4亿元，通过广泛引入多元市场投资主体，提升高端掩模项目竞争力，充分激发资本活力和自主创新能力，打造发展硬实力。
（3）截至2023年末，润科基金共有54个项目完成了立项和投决，累计投资超17.6亿元。润科基金围绕公司产业发展的纵向和横向进行投。
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